Mémoires magnétiques MRam de Crocus Technology

摘要

Les électrons ont une charge et un spin. La MRam s'intéresse à l'électronique de spin ou spin-tronique. Elle s'appuie sur la jonction tunnel magnétique (Ma-gnetic tunnel junctions ou MTJ), dispositif typique de spintroni-que. Basée sur la magnétorésis-tance par effet tunnel (TMR), une MTJ est composée de deux électrodes d'un matériau magnétique séparées par une très fine couche isolante. Le principe mis en jeu est la chute considérable de la résistance électrique d'une mul-ticouche magnétique provoquée par un champ magnétique.