Le retard pris par la commercialisation de la lithographie aux UV extrêmes a favorisé des adaptations au nœud 10 nm de la lithographie 193 nm en immersion avec multiple patterning. Pour le 7nm, les fabricants de semi-conducteurs envisagent également d'autres solutions comme le DSA et l'écriture directe par faisceaux d'électrons.
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