Neue Strukturen bei Niedervolt-MOSFETs

摘要

Leistungs-MOSFETs erreichen voraussichtlich noch in diesem Jahr die Verkaufszahlen der bipolaren Transistoren, bis in zwei Jahren werden sie diese gar um knapp 20 Prozent überflügeln. Ursache des MOSFET-Höhenfluges ist nicht nur die hohe mögliche Schaltfrequenz, auch die mit neuen Entwicklungen immer geringere Verlustleistung trägt zu dem Erfolg wesentlich bei.