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Technologie FD-SOI de STMicroelectronics, CEA Leti et Soitec

机译:STMicroelectronics的FD-SOI技术,CEA Leti et Soitec

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摘要

Alternative aux FinFET, ce process commence à séduire les fabricants de composants à faible consommation. Il y a encore deux ans, le FD-SOI ne faisait pas vraiment figure d'alternative crédible face aux technologies de type FinFET promues par Intel, puis par les principaux fondeurs mondiaux. Les choses ont bien changé depuis, et, si les technologies FinFET resteront l'option principale pour tous les circuits numériques requérant une grande célérité, le FD-SOI gagne petit à petit en crédibilité suite au soutien de géants comme Samsung et surtout Globalfoundries, et aux performances des premiers circuits sortant des usines (pour le compte de Sony ou de NXP par exemple). De quoi donner à cette technologie un réel ave- nir, notamment dans des applications à faible consommation ou mettant en œuvre des blocs de traitement analogiques ou radiofréquences.
机译:作为FinFET的替代产品,该工艺开始吸引低功耗组件制造商。两年前,FD-SOI并不是英特尔,然后是全球主要创始人所倡导的FinFET型技术的可靠替代品。从那时起,情况发生了变化,尽管FinFET技术将仍然是所有需要高速的数字电路的主要选择,但在三星(尤其是Globalfoundries)等巨头的支持下,FD-SOI逐渐获得了信誉。第一批电路出厂时的性能(例如代表Sony或NXP)。足以给该技术带来真正的未来,尤其是在低功率应用或实现模拟或射频处理模块的情况下。

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    《Electronique》 |2017年第83期|42-42|共1页
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