Globalfoundries soutient la technologie FD-SOI 22nm de Soitec

摘要

Soitec a annoncé cet été la mise en place de la première plate-forme technologique de tranches de silicium sur isolant totalement « déplétées » (Fully Depleted FD-SOI) en 22 nm chez Globalfoundries, constituant une avancée significative dans l'écosystème FD-SOI. Rappelons que les technologies FD-SOI s'appuient sur des substrats ultra-minces fabriqués à l'aide du procédé Smart Cut de Soitec, un standard de l'industrie. La fabrication de substrats FD-SOI 300 mm de Soitec va pouvoir monter en puissance et répondre aux prévisions de l'industrie, grâce aux deux grands sites de production de pointe que compte la société en Europe et à Singapour. Des volumes supplémentaires de tranches identiques seront également proposés par la société japonaise Shin-Etsu Handotai, détenteur d'une licence Smart Cut. Les deux fournisseurs de substrats seraient prêts à renforcer leurs capacités en fonction des besoins. Selon le fondeur, cette technologie va générer d'importants gains d'efficacité et de coûts pour des applications exigeant des performances élevées et une faible consommation d'énergie avec la possibilité d'intégrer des fonctions analogiques et de radiofréquences. Cette technologie est parfaitement adaptée aux marchés du mobile dans les segments bas à milieu de gamme et des dispositifs électroniques portés sur soi (wearables). Elle permet notamment le déploiement d'une nouvelle génération de circuits intégrés pour l'Internet des objets. Elle s'adresse également à d'autres marchés tels le multimédia grand public et les applications industrielles et automobiles. L'écosystème mondial FD-SOI se développe avec l'arrivée de grandes fonderies de semiconducteurs. En mai 2014, Samsung a annoncé la signature d'un accord global avec STMicroelectronics portant sur la technologie FD-SOI en 28 nm en vue d'une production en collaboration multisource.