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机译:指定SiC器件时的注意事项
Cree Power Devices Durham, NC;
机译:最大化SiC功率器件性能优势的模块和系统注意事项
机译:SiC双极型器件的设计和技术注意事项:BJT,IGBT和GTO
机译:具有通过倾斜注入形成自对准沟道的坚固SiC VDMOSFET的器件设计考虑
机译:高压SiC功率器件的设计注意事项:10kV SiC结型势垒肖特基(JBS)二极管的通道收缩实验研究
机译:低压碳化硅(SIC)半导体器件用于电力转换应用的实验研究
机译:碳化硅基微型器件特刊社论
机译:SIC器件和SIC逆变器的开发旨在电力应用