机译:包含量子效应的纳米级三栅极SOI MOSFET的新分析模型
Device modeling; Poisson–Schrodinger equation; energy quantization; inversion charge; tri-gate MOSFET;
机译:包括量子效应的纳米级三栅MOSFET的建模和仿真
机译:纳米级三门SOI MOSFET中自加热效应电热液面的影响
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si_(1-x)Ge_x MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:包含量子力学效应的纳米级四栅极MOSFET的分析模型
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型