机译:GeSn-SiGeSn异质隧道FET的带偏工程及其应变的作用
Department of Information Technology and Electrical EngineeringIntegrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Zurich, Switzerland;
Doping; Junctions; Logic gates; Materials; Photonic band gap; Strain; Tunneling; GeSn-SiGeSn hetero structures; Tunnel FETs; band offset optimization;
机译:基于漏极/栅极氧化物和杂电介质工程的改进的异质结构连接隧穿FET的表示
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机译:杂交介质杂结构隧道FET和肖特基屏障FET的比较分析与N加袋掺杂,抑制Ampolar传导和改进的RF /线性
机译:GeSn-SiGeSn异型FET的分析
机译:单轴应变对MOSFET和Esaki隧道二极管的电气特性的影响。
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