University of Notre Dame.;
机译:单轴压缩应变对p沟道MOSFET动态负偏置温度不稳定性的影响
机译:氟化HfO 2 sub> / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:100nm以下SOI MOSFET的失漏和驱动电流特性以及量子隧道电流的影响
机译:单轴应变对纳米PMOSFET通道反向散射特性和漏极电流变化的影响
机译:单通道压缩应变下具有沟道的p沟道MOSFET的凹陷硅锗结参数优化研究。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:具有氟化HfO2 / siON栅堆叠的单轴应变nmOsFET的电特性