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机译:栅极长度低至0.1μm的超薄膜SOI MOSFET亚阈值斜率的仿真和二维分析建模
机译:背栅SSGOI和SSOI MOSFET亚阈值特性的分析建模和仿真:比较研究
机译:短沟道双金属栅(DMG)全耗尽型凹源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的分析亚阈值电流和亚阈值摆幅模型
机译:具有门失准效应的渐变通道Dg Fd Soi N-mosfet二维分析亚阈值模型
机译:栅极长度为0.1μm,工作于77 K的超薄膜SOI-MOSFET的器件仿真
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:具有接近理想亚阈值斜率的GaN纳米线MOSFET
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。