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机译:空穴注入SiO / sub 2 /击穿模型,用于极低电压寿命外推
机译:温度和缺陷对薄SiO / sub 2 /在极低电压下的击穿寿命的影响
机译:高A /金属栅叠层p型金属氧化物硅硅场效应晶体管的阴极电子注入击穿模型和时变介电击穿寿命预测
机译:无需时间外推的NBTI生命周期建模的电压相关活化能图
机译:空穴注入氧化物击穿模型,用于极低电压寿命外推
机译:低压断路器中零电流后绝缘击穿的数值模型。
机译:高压应用超晶格GaN-On-Silicon异质结构的高击穿电压和低缓冲液
机译:慢斜坡电压技术研究等离子体氮化SiO2薄膜的击穿电压分布。
机译:离散孔冷却剂注入横流的三维湍流混合长度模型