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机译:使用埋入式氧注入改善GaAs / Si MESFET的RF性能
机译:具有分子注入和优化的低掺杂漏极结构的高性能GaAs MESFET,可实现最高的速度,增益和击穿性能
机译:通过使用单片工艺提高低温下GaAs MESFET的动态和1 / f噪声性能
机译:中性掩埋p层对GaAs MESFET高频性能的影响
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机译:毫米波GaAs MESFET的分析和改进。
机译:在50μmGaAs层上实现的基于超表面概念的新型0.41-0.47 THz片上天线的性能参数改进研究
机译:埋碳埋入p层对多功能自对准栅(MSAG)GaAs MESFET的性能的影响
机译:离子注入剖面对Gaas mEsFET和mmIC放大器性能的影响