机译:中性掩埋p层对GaAs MESFET高频性能的影响
机译:掩埋p层的设计考虑因素以抑制GaAs MESFET中的衬底俘获效应
机译:偏置应力和超高速数字IC相关性能下降下0.1μm自对准栅GaAs MESFET的阈值电压漂移
机译:掩埋p层对GaAs MESFET中衬底陷阱诱导现象的影响
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:埋碳埋入p层对多功能自对准栅(MSAG)GaAs MESFET的性能的影响
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。