...
机译:CF {sub} 4等离子处理的单片集成增强/耗尽模式AlGaN / GaN HEMT反相器和环形振荡器
AlGaN/GaN; Depletion mode (D-mode); Direct-coupled field-effect transistor (FET) logic (DCFL); Enhancement/depletion (E/D) inverter; Enhancement mode (E-mode); Fluorine ions; Gate current; HEMT; Plasma treatment; Post-gate rapid thermal annealing (RTA);
机译:采用氟等离子体处理的单片集成增强/耗尽模式AlGaN / GaN HEMT SRAM单元和电压电平转换器
机译:采用氟等离子体处理的单片集成增强/耗尽模式AlGaN / GaN HEMT D触发器
机译:平面集成增强/耗尽模式Algan / gan Hemts和数字电路的温度依赖性和热稳定性
机译:用于GaN数字集成电路的增强和耗尽模式AlGaN / GaN Hemts的单片集成
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:基于氟化物的等离子体处理控制alGaN / GaN HEmT的阈值电压:从耗尽模式到增强模式