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机译:具有优化场板结构的高压GaN-HEMT中动态导通电阻增加和栅极电荷测量的抑制
GaN; high voltage; high-electron mobility transistor (HEMT); power semiconductor device;
机译:高压GaN-HEMT中电流崩塌现象的场板结构依赖性
机译:利用梯度场板结构抑制硅衬底上高压AlGaN / GaN HFET的电流崩塌
机译:具有p型栅极结构的高压GaN-HEMT的UIS测试
机译:实际应用条件下高压GaN-HEMT的动态导通电阻的测量
机译:通过电荷回收进行隐式DC-DC转换,以实现动态电压调整和高压功率输出。
机译:Kv1.2钾离子通道中与电压有关的门控和门控电荷测量
机译:高压GaN场效应晶体管动态导通电阻研究方法