...
机译:高压GaN-HEMT中电流崩塌现象的场板结构依赖性
Semiconductor Company, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan;
GaN; HEMT; high voltage; power semiconductor device;
机译:利用梯度场板结构抑制硅衬底上高压AlGaN / GaN HFET的电流崩塌
机译:具有优化场板结构的高压GaN-HEMT中动态导通电阻增加和栅极电荷测量的抑制
机译:具有不同类型缓冲层的场板AlGaN / GaN HEMT中滞后现象和电流崩塌的相似性
机译:适用于电力电子应用的高压GaN-HEMT和高施加电压下的电流崩塌现象
机译:金属SWNT结构中电流输运的温度依赖性
机译:迷走神经的影响引起伴随肺扩张和塌陷的现象
机译:alGaN / GaN HEmTs md中栅极场板的电流崩塌抑制。