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机译:适用于22-nm节点的新型无电容器1T-DRAM单元,兼容大块和SOI衬底
Department of Electronics, Faculty of Science, University of Granada, Granada, Spain;
Advanced random-access memory (A-RAM); MOSFET; capacitorless; floating body (FB); silicon on insulator (SOI); simulation; single-transistor dynamic random-access memory (1T-DRAM); zero-capacitor random-access memory (Z-RAM);
机译:批量FinFET统一RAM(URAM)单元,用于多功能NVM和无电容器1T-DRAM
机译:FD-SOI技术在22-nm节点上为6-T SRAM单元带来的性能和面积扩展优势
机译:基于体衬底的准绝缘体上硅结构的高密度无电容动态随机存取存储单元
机译:A2RAM:与平面和3D SOI基板兼容的低功耗1T-DRAM存储单元
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机译:无电容1T-DRam的光学辅助编程方法