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机译:用于28nm及以上铜互连的有效电容模型
Department of Material Science and Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shangai, China|c|;
Capacitance model; copper diffusion barrier; tex Notation='TeX'$kappa$/tex/formula damage layer"low-formula formulatype="inline"tex Notation="TeX"$kappa$/tex/formula damage layer; transition layer;
机译:互连和有效电容的快速区间值统计建模
机译:建模互连负载的有效电容以预测CMOS门斜率
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机译:研究由金属填充引起的电容偏差和有效的互连几何模型
机译:用于VLSI互连建模的寄生电容提取方法
机译:铜低k互连中随时间变化的介电击穿:机理和可靠性模型
机译:用于片上RLC互连的基于有效电容的驱动器输出模型