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机译:精确定位的掺杂剂对最终硅纳米线晶体管性能的影响:完整的三维NEGF模拟研究
Device Modelling Group, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.;
Electric potential; Electrostatics; Impurities; Logic gates; Semiconductor process modeling; Transistors; Wires; 3-D simulations; Discrete dopants; nanowire transistor (NWT); nonequilibrium Green function (NEGF); quantum transport (QT); single-atom transistor;
机译:由于界面粗糙度和随机掺杂剂共同作用,Si纳米线MOSFET的可变性:完整的三维NEGF模拟研究
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机译:硅纳米线晶体管中精确放置的掺杂剂与界面粗糙度之间的相互作用:完整的3-D NEGF模拟研究
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