机译:考虑晶界尾态退化的多晶硅薄膜晶体管在强反演中的偏置漏电流分析模型
School of Computer and Information Engineering, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, China;
Data models; Degradation; Electron traps; Logic gates; Stress; Thin film transistors; Video recording; Degradation; hot carriers; poly-Si thin-film transistors (TFTs); reliability;
机译:从晶界位置看大晶粒多晶硅薄膜晶体管的特性退化
机译:同时考虑深陷状态和尾陷状态的非晶InGaZnO薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
机译:同时考虑深陷状态和尾陷状态的有机薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
机译:高浇口和低漏极偏压下强倒置区工作的多Si薄膜晶体管的近似分析通道电位模型
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管