高效多晶硅中∑3晶界复合活性的研究

摘要

多晶硅作为一种基础的光伏材料,近年来受到诸多关注.多晶硅中存在着许多缺陷如位错、晶界等,不利于多晶硅太阳能电池的转换效率.而且并非所有多晶硅中的晶界都形成深的复合中心,阻碍载流子的扩散.采用电子束诱生电流(Electron Beam-Induced Current,EBIC)技术和电子背散射衍射(Electron Backscatter Diffraction,EBSD)技术对商业化生产的原生高效多晶硅中的特殊晶界(CSL晶界)进行研究,探究它们的复合活性.结果表明,孪晶上的∑3(-1-11)晶界几乎没有复合活性,EBIC衬度在300 K下为1.32％;而普通晶粒上的∑3(1-1-1)晶界表现出了复合特性,300 K下的EBIC衬度为39.62％,并且随着温度的降低,出现了缓慢的下降,说明∑3(1-1-1)晶界处形成了深能级复合中心.