机译:解释了陷阱电荷和自由电荷的非晶InGaZnO薄膜晶体管的精确分析物理模型
Department of Information Engineering, University of Brescia, Brescia, Italy;
Analytical models; Approximation methods; Mathematical model; Solid modeling; Thin film transistors; Transistors; Computer-aided design (CAD) applications; indium gallium zinc oxide (IGZO); thin-film transistor (TFT); thin-film transistor (TFT).;
机译:同时考虑深陷状态和尾陷状态的非晶InGaZnO薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
机译:具有有效载流子密度的非晶InGaZnO薄膜晶体管的漏极电流和栅极电容的解析模型
机译:非晶InGaZnO薄膜晶体管的物理建模:简并导电的作用
机译:考虑深陷和尾陷状态的非晶硅和多晶硅薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
机译:非晶硅薄膜晶体管的器件和材料表征以及分析建模。
机译:带有原子层沉积ZnO电荷陷阱层的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器的电压极性相关编程行为
机译:非晶InGaZnO薄膜晶体管的精确分析物理模型,说明了陷阱电荷和自由电荷