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机译:Fin p体IGBT的瞬态导通特性
Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong;
Electromagnetic interference (EMI) noise; fin p-body; insulated gate bipolar transistor (IGBT); reverse-recovery $dV/dt$ controllability; reverse-recovery dV/dt controllability; turn-ON energy loss ( $E_{mathrm{{scriptscriptstyle ON}}})$; turn-ON energy loss (EON).;
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