机译:Si衬底上GaN高电子迁移率晶体管中表面感应电流和缓冲感应电流塌陷的温度依赖性
School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China;
AlGaN/GaN; Si substrate; buffer; current collapse (CC); high-electron mobility transistor (HEMT); hot electron; surface states; temperature; temperature.;
机译:使用软开关脉冲
机译:具有非常薄的SiO_2栅极电介质的Si(111)衬底上的AlGaN / GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管的直流性能和电流崩溃
机译:通过重复臭氧氧化和湿法表面处理减少GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌
机译:在采用碳掺杂的GaN超晶格缓冲层的GaN基高电子迁移率晶体管中减少泄漏电流
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌可能源于通道电子的能量弛豫?