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机译:通过重复臭氧氧化和湿法表面处理减少GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China;
AlGaN/GaN; Current Collapse; HEMT; Ozone; PAE; RF; Surface treatment; current collapse; ozone; surface treatment;
机译:Si衬底上GaN高电子迁移率晶体管中表面感应电流和缓冲感应电流塌陷的温度依赖性
机译:使用软开关脉冲
机译:通过臭氧预处理并将臭氧氧化剂用于Al2O3栅极绝缘体实现的高导通/截止电流比超过5 x 10(10)的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管
机译:在采用碳掺杂的GaN超晶格缓冲层的GaN基高电子迁移率晶体管中减少泄漏电流
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌可能源于通道电子的能量弛豫?
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较