机译:多级操作选择层的通道堆叠NAND闪存程序扰动分析
3-D NAND flash memory; channel-stacked NAND flash memory; new program disturbance in layer selection by multilevel operation (LSM); program disturbance in channel-stacked NAND;
机译:通道堆叠NAND闪存中用于层选择的串选择晶体管的新编程方法
机译:使用通道堆叠NAND闪存中的公共源线并通过多级操作进行层选择的编程方案
机译:3D通道堆叠NAND闪存中热载流注入引起的新读取干扰分析
机译:具有通过多级操作(LSM)选择层的通道堆叠NAND闪存
机译:NAND闪存:表征,分析,建模和机制
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机译:具有高κ电荷诱捕层的通道堆叠NAND闪存,可用于高可扩展性