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机译:适用于低功率鲁棒SRAM的准肖特基势垒UTBB SOI MOSFET
Electrical Engineering Department, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran;
Electrical Engineering Department, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran;
Department of Engineering, Aarhus University, Aarhus, Denmark;
Department of Engineering, Aarhus University, Aarhus, Denmark;
Silicon; Random access memory; Computer architecture; Junctions; MOSFET; Lattices;
机译:使用激光重结晶的p沟道SOI MOSFET的低功耗和高稳定性SRAM技术
机译:具有8 T SRAM单元和数据相关写入辅助功能的32 kb 0.35–1.2 V,50 MHz–2.5 GHz比特交错SRAM,采用28nm UTBB-FDSOI CMOS
机译:使用精确的反转电荷密度模型在反偏压下提取短沟道UTBB-FDSOI MOSFET的迁移率
机译:UTBB FDSOI28中SRAM的SER / SEL性能以及与PDSOI和BULK同类产品的比较
机译:适用于低噪声和低功耗应用的SOI MOSFET建模。
机译:用于低功率单片集成Si光学互连的高光敏性Ge-dot光电MOSFET
机译:在UTBB SOI MOSFET中,在阈值条件下分析阈值条件中的逆转载荷密度