Corrections to “A Modified CLTdSCR With Low Leakage and Low Capacitance for ESD Protection”

Sun Kangming; Li Ting; Meng Liya

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Corrections to “A Modified CLTdSCR With Low Leakage and Low Capacitance for ESD Protection”

机译：校正“具有低泄漏和低电容的改进的CLTDSCR，用于ESD保护”

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来源
《IEEE Transactions on Electron Devices 》 |2021年第4期| 2147-2147| 共1页
作者
Sun Kangming; Li Ting; Meng Liya;
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作者单位

Chongqing Technol & Business Inst Chongqing Peoples R China;

Chongqing Technol & Business Inst Chongqing Peoples R China;

Chongqing Univ Key Lab Optoelect Technol & Syst Minist Educ Chongqing 400044 Peoples R China;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
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正文语种 eng
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