公开/公告号CN113764404A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 成都吉莱芯科技有限公司;
申请/专利号CN202111106081.X
申请日2021-09-22
分类号H01L27/02(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/77(20170101);
代理机构32243 南京正联知识产权代理有限公司;
代理人查鑫利
地址 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号
入库时间 2023-06-19 13:37:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-26
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L27/02 专利申请号:202111106081X 登记生效日:20220713 变更事项:申请人 变更前权利人:成都吉莱芯科技有限公司 变更后权利人:江苏吉莱微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号 变更后权利人:226200 江苏省南通市启东市汇龙镇牡丹江西路1800号 变更事项:申请人 变更前权利人: 变更后权利人:成都吉莱芯科技有限公司
专利申请权、专利权的转移
机译: 用于低电源电压应用的ESD保护器件结构的制造方法
机译: 低泄漏,低电容静电放电(ESD)硅可控硅(SCR),制造方法和设计结构
机译: 低泄漏,低电容的静电释放(ESD)硅控制的接收器(SCR),制造方法和设计结构