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机译:高质量ALN缓冲层的AlGaN / GaN Hemts中的高击穿电压和低电流分散
Kyungpook Natl Univ Sch Elect & Elect Engn Daegu 41566 South Korea;
Korea Adv Nano Fab Ctr KANC Suwon 443270 South Korea;
Kyungpook Natl Univ Sch Elect & Elect Engn Daegu 41566 South Korea;
Korea Adv Nano Fab Ctr KANC Suwon 443270 South Korea;
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Kyungpook Natl Univ Sch Elect & Elect Engn Daegu 41566 South Korea;
AlGaN/GaN; AlN buffer; BV2/R-ON; high electron mobility transistor (HEMT); SP;
机译:用于电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的高击穿电压P-Gan-Gate GaN HEMT的仿真设计
机译:具有P-GaN栅极和电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的新型高击穿电压和高开速GaN HEMT
机译:通过MOCVD使用部分Mg掺杂GaN缓冲层在Si底物上生长的AlGaN / GaN HEMT的改善电压
机译:高k钝化层的AlGaN GaN Hemts击穿电压分析及缓冲层中的高受体密度
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压