Switching Performance Comparison With Low Switching Energy Due to Initial Temperature Increment in CoFeB/MgO-Based Single and Double Barriers

B. Teso; A. Siritaratiwat; A. Kaewrawang; A. Kruesubthaworn; A. Namvong; S. Sainon; C. Surawanitkun

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【24h】

Switching Performance Comparison With Low Switching Energy Due to Initial Temperature Increment in CoFeB/MgO-Based Single and Double Barriers

机译：基于CoFeB / MgO的单壁垒和双壁垒中初始温度升高引起的开关能量较低时的开关性能比较

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Spin-transfer torque magnetic random-access memory (STT-MRAM) based on a single-barrier magnetic tunnel junction (SBMTJ) and a double-barrier magnetic tunnel junction (DBMTJ) has evolved along with a low switching current and low energy consumption to obt

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来源
《IEEE Transactions on Electron Devices》 |2019年第9期|4062-4067|共6页
作者
B. Teso; A. Siritaratiwat; A. Kaewrawang; A. Kruesubthaworn; A. Namvong; S. Sainon; C. Surawanitkun;
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作者单位

Faculty of Applied Science and Engineering Khon Kaen University Nong Khai Campus Nong Khai Thailand;

Department of Electrical Engineering Faculty of Engineering Khon Kaen University Khon Kaen Thailand;

Department of Electrical Engineering Faculty o;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Magnetic tunneling; Switches; Perpendicular magnetic anisotropy; Temperature; Saturation magnetization; Magnetic switching;

机译：磁性隧道开关;垂直磁各向异性温度;饱和磁化强度;电磁开关;

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