...
机译:弹道条件下超大规模全栅无结晶体管的高k间隔物考虑
School of Science, Lanzhou University of Technology, Lanzhou, China;
Institute of Advanced Technology, Zhejiang University, Hangzhou, China;
Shenzhen Key Laboratory of Advanced Electron Device and Integration, School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China;
Logic gates; Nanoscale devices; High-k dielectric materials; Dielectrics; MOSFET; Electric potential;
机译:亚阈值状态下高K垫片对无结晶体管的影响
机译:无掺杂双材料的增强模拟性能和具有高k隔离层的无结晶体管的栅极堆叠架构
机译:使用高k间隔物抑制无结多栅极晶体管的亚阈值特性变化
机译:高k隔离层和负电容对双栅极无结晶体管的影响,可改善短沟道抗扰度和可靠性
机译:无结场效应晶体管中的纳米级效应
机译:一次性编程非易失性存储器中使用的单个多晶硅栅全能无结鳍式场效应晶体管
机译:通道几何依赖性阈值电压和跨导的栅极 - 全面纳米内纳米内连接晶体管