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机译:具有双侧壁间隔的高架源/漏MOSFET
机译:通过在Trigate硅纳米线MOSFET中使用薄垫片提高源/漏扩展来提高短通道性能
机译:空气隔离器技术可通过提高源极/漏极和高k栅极电介质来提高MOSFET的短沟道抗扰度
机译:降低源极/漏极(LSD)和升高源极/漏极(RSD)超薄体(UTB)SOI MOSFET的比例
机译:在选择性外延生长过程中,SiO2侧壁间隔层的降解会导致凸起的源极/漏极MOSFET的制造
机译:将选择性硅外延与薄的侧壁隔离层集成在一起,用于亚微米级的高源/漏MOSFET。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:50nm MOSFET的升高的源极/漏极(RSD)-外延层厚度对短沟道效应的影响