...
机译:在0.25 / spl mu / m PMOSFET热载流子退化期间产生正电荷
机译:PMOSFET热载流子退化期间氧化物电荷产生的建模
机译:0.25μmPMOSFET中的热载流子退化特性及其解释
机译:使用0.25- / spl mu / m亚皮秒脉冲的Li III 13.5 nm激光器中的增益产生效率是否与1 / spl mu / m相同?
机译:分析0.25- / splμ/ m表面沟道pMOSFET器件中的热载流子退化
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:单pMOSFET介电性能下降对NAND电路性能的影响
机译:在改进的晶片上制造的130nm部分耗尽的SOI PMOSFET中由热载体注射诱导的降解
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性