机译:p-MOS晶体管的动态NBTI及其对MOSFET缩放的影响
Dept. of Electr. & Comput. Eng., Nat. Univ. of Singapore, Singapore;
MOSFET; interface states; semiconductor device reliability; semiconductor device models; CMOS digital integrated circuits; passivation; p-MOSFETs; dynamic negative bias temperature instability effect; MOSFET scaling; ultrathin gate oxide; interface t;
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