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机译:载流子注入过程中阳极空穴注入和价带孔隧穿对界面陷阱产生的作用
Anode hole injection (AHI); Charge pumping (CP); Hot carrier injection (HCI); Interface traps (N{sub}(IT)); Reaction-diffusion (R-D) model; Valence-band-hole tunneling (VBHT);
机译:关于“在n-MOS晶体管的低栅极电压热载流子应力期间由空穴注入产生的电子和空穴陷阱的生成和表征”的评论(带回复)
机译:在n-MOS晶体管的低栅极电压热载流子应力期间由空穴注入产生的电子陷阱陷阱的产生和表征
机译:低压NMOSFET中热载流子注入应力的界面态生成和空穴注入的统一
机译:使用DCIV方法通过Fowler-Nordheim n电子注入和热空穴注入生成界面陷阱的比较
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:使用溶液沉积的氧化锡纳米粒子装饰的ITO阳极改进了蓝色磷光有机发光二极管的空穴注入
机译:Ultrafast热载体注射在AU / GaN中:带弯曲的作用和界面带结构
机译:全覆盖薄膜冷却换热研究 - 正常注射和30°注入孔注射数据汇总