首页> 外文OA文献 >Ultrafast Hot Carrier Injection in Au/GaN: The Role of Band Bending and the Interface Band Structure

【2h】

Ultrafast Hot Carrier Injection in Au/GaN: The Role of Band Bending and the Interface Band Structure

机译：Ultrafast热载体注射在AU / GaN中：带弯曲的作用和界面带结构

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Fan Zheng; Lin-Wang Wang;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2019
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Ultrafast Hot Carrier Injection in Au/GaN: The Role of Band Bending and the Interface Band Structure [J] . Zheng Fan, Wang Lin-Wang Journal of physical chemistry letters . 2019,第20期

机译：Ultrafast热载体注射在AU / GaN中：带弯曲的作用和界面带结构
2. Role of Anode Hole Injection and Valence Band Hole Tunneling on Interface Trap Generation During Hot Carrier Injection Stress [J] . D. Saha, D. Varghese, S. Mahapatra IEEE Electron Device Letters . 2006,第7期

机译：载流子注入过程中阳极空穴注入和价带孔隧穿对界面陷阱产生的作用
3. Photoemission-induced charging of self-assembled Au nanoparticles on GaN substrates and the effect on surface band bending [J] . Hwa Kyung Kim, Ho Won Jang, Jong-Lam Lee Journal of Applied Physics . 2005,第10期

机译：GaN衬底上自组装Au纳米粒子的光发射诱导电荷及其对表面带弯曲的影响
4. PHYSICAL INSIGHT INTO INTERFACE PASSIVATION OF A-SI:H/C-SI HETEROSTRUCTURES BY ANALYSIS OF INJECTION-DEPENDENT LIFETIME AND BAND BENDING [C] . C. Leendertz, N. Mingirulli, T. F. Schulze, European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition . 2010

机译：通过分析注射依赖的寿命和带弯曲，对A-Si：H / C-Si异质结构的界面钝化的物理洞察
5. Role of interface band structure on hot electron transport. [D] . Garramone, John J. 2011

机译：界面带结构在热电子传输中的作用。
6. Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy [O] . Ling Sang, Qin Sheng Zhu, Shao Yan Yang, 2014

机译：X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
7. Ultrafast hot-hole injection modifies hot-electron dynamics in Au/p-GaN heterostructures [O] . Giulia Tagliabue, Joseph S. DuChene, Mohamed Abdellah, 2020

机译：超快热空穴注入修改Au / P-GaN异质结构中的热电子动力学
8. Band Bending and Photoemission-Induced Surface Photovoltages on Clean n- and p-GaN (0001) Surfaces. [R] . Long, J. P., Bermudez, V. M. 2002

机译：在清洁的n和p-GaN（0001）表面上的能带弯曲和光发射诱导的表面光伏。

Ultrafast Hot Carrier Injection in Au/GaN: The Role of Band Bending and the Interface Band Structure

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅