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机译:使用“湿式一氧化二氮”工艺在硅上生长隧道氧化物,以改善性能
MOS capacitors; flash memories; leakage currents; nitridation; oxidation; semiconductor device breakdown; surface treatment; 800 C; MOS capacitor; capacitance-voltage characteristics; current stressing; current-voltage characteristics; electrical characteristics; fla;
机译:通过“湿式一氧化二氮工艺”制造的纳米级隧道氧化物,用于非易失性存储应用
机译:具有坚固的隧道氧氮化物的多晶硅-氧化硅-氧化af-氧化硅-硅型非易失性存储器的保留特性得到改善
机译:通过改进的肢体大气光谱仪(ILAS)观察并使用5.20版算法处理的一氧化二氮和甲烷剖面的验证和数据特征-艺术。没有。 8003
机译:氮化硅/二氧化硅堆栈隧道电介质改善了闪存的性能
机译:微生物对土壤湿润的响应中的基因表达:微生物复苏策略,硝化剂响应动力学和一氧化二氮脉冲。
机译:隧穿原子层沉积氧化铝:硅结的表面钝化的相关结构/电性能研究
机译:硅上生长的用于闪存应用的“湿$ N_2O $”隧道氧化物的电学和可靠性研究
机译:改进的受保护的儿茶酚聚硅氧烷对表面氧化物的生物润湿粘附性能