机译:具有纳米棒阵列和图案化蓝宝石衬底的GaN基LED的效率提高
Gallium nitride (GaN); light-emitting diodes (LEDs); nanoimprint lithography (NIL); patterned sapphire substrate (PSS);
机译:嵌入式SiO_2纳米棒阵列和纳米级图案化蓝宝石衬底上的高提取效率GaN基发光二极管
机译:通过优化SiO_2纳米棒阵列深度图案化蓝宝石衬底来增强GaN基发光二极管的光输出
机译:通过在Sio_2纳米棒阵列图案蓝宝石衬底上Gan的纳米尺度外延横向过度生长,提高Uv /蓝光发光二极管的效率
机译:双面球形帽状图案蓝宝石衬底提高了GaN基倒装芯片LED的光提取效率
机译:氮化镓在具有蛇形通道的图案化蓝宝石衬底上异质外延生长。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高