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机译:直流与脉冲型负偏置应力对光照明下非晶InGaZnO晶体管的不稳定性的影响
Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul , Korea;
Density of states; indium–gallium–zinc–oxide; oxide semiconductor; stability; thin-film transistor (TFT);
机译:ITO局部导电掩埋层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的负偏压照明应力不稳定性
机译:具有透明源极和漏极的非晶InGaZnO薄膜晶体管中的负偏置照明应力不稳定性
机译:顶部栅极偏置结构消除非晶InGaZnO薄膜晶体管中的负偏压照明应力不稳定性。
机译:负偏压和照明应力下漏极偏压对非晶InGaZnO薄膜晶体管不稳定性的影响
机译:InGaZnO薄膜晶体管的后处理,以改善偏置照明应力的可靠性。
机译:A-Ingazno薄膜晶体管中光漏电流和负偏压照明应力的退火诱导稳定性的定量分析
机译:O-空位作为负偏差照明应力不稳定的起源 在非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管中