-based ReRAM devices consisting of Ru/
机译:镁掺杂对基于$ {rm HfO} _ {2} $的ReRAM器件开关特性的影响
Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Toledo, Toledo, OH, USA|c|;
Nonvolatile memories; resistive random access memory (ReRAM); transition metal oxide;
机译:基于HfO2的ReRAM器件中Al2O3隧道势垒对非线性电阻开关特性的退火效应
机译:用于多层单元非易失性存储器应用的W / Zr / HfO2 / TiN ReRAM器件的开关特性
机译:利用基于HFO2的REERAM设备的交换动态,以获得可靠的模拟忆错行为
机译:基于HfO_x的ReRAM器件电流-电压特性的氧化物厚度依赖性研究
机译:基于HFO2的RERAM的表征与MIM类存储装置的物理学型号的开发
机译:利用基于HFO2 / TiOx的RERAM设备的切换性旋转性和多个设备突触的概念用于重叠和嘈杂模式的分类
机译:利用基于HFO2的REERAM设备的交换动态,以获得可靠的模拟忆错行为
机译:碲化镉基光电器件性能特性,不稳定性及带隙分级效应的数值模拟。