机译:纳米MOSFET BTI应力下多种氧化物陷阱的统计相互作用
Department of Chemistry, The University of Hong Kong, Hong Kong,;
Bias and temperature instability (BTI); complimentary metal–oxide–semiconductor (CMOS); random telegraph noise (RTN); reliability; variability;
机译:在64nm HFsion / SiO_2 MOSFET上的BTI应力下通过氧化物捕获电荷进行快速弛豫的表征
机译:纳米级MOSFET中的RTN和BTI:全面的统计模拟研究
机译:用于BTI,Silc和TDDB的界面和批量氧化物疏水阀的时间动力学的随机框架
机译:通过RTS或BTI评估非弹性隧穿对MOSFET中氧化物陷阱深度的影响
机译:纳米MOSFET的二氧化based基栅极电介质。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:纳米级mOsFET BTI应力下多个氧化物陷阱的统计相互作用