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机译:用于BTI,Silc和TDDB的界面和批量氧化物疏水阀的时间动力学的随机框架
IIT Bombay Mumbai India;
IIT Bombay Mumbai India;
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Kinetic theory; Stochastic processes; Logic gates; Stress; Stress measurement; Time measurement; Atomic measurements;
机译:使用TSCIS系统分析4H-SiC DMOSFET的氧化物陷阱分布及其与BTI和SILC行为的关系
机译:在64nm HFsion / SiO_2 MOSFET上的BTI应力下通过氧化物捕获电荷进行快速弛豫的表征
机译:纳米MOSFET BTI应力下多种氧化物陷阱的统计相互作用
机译:MOSFET中热载体应力期间和闸门绝缘子陷阱时间动力学的随机和确定性建模框架
机译:压力下氧化硼的结晶动力学和在平衡条件下快速分离时结晶熔体界面运动的理论(快速凝固,溶质俘获)。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:纳米级mOsFET BTI应力下多个氧化物陷阱的统计相互作用