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机译:氧化铝缓冲液对柔性衬底上顶栅非晶InGaZnO薄膜晶体管稳定性的影响
Division of Material Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, Korea;
Amorphous InGaZnO (a-IGZO); alumina buffer; atomic layer deposition (ALD); thin-film transistor (TFT);
机译:顶部栅极偏置结构消除非晶InGaZnO薄膜晶体管中的负偏压照明应力不稳定性。
机译:使用并五苯和非晶InGaZnO薄膜晶体管的顶栅混合互补逆变器,具有很高的工作稳定性
机译:非晶InGaZnO4薄膜晶体管中光诱导顶栅效应对光子通量和顶栅电压的依赖性
机译:双栅非晶InGaZnO_4薄膜晶体管的顶栅效应
机译:迈向柔性全色有源矩阵有机发光显示器:用于透明OLED集成的干式染料印刷和在透明塑料基板上的280°C非晶硅薄膜晶体管。
机译:具有埋沟道层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏压应力稳定性
机译:使用并五苯和非晶InGaZnO薄膜晶体管的顶栅混合互补逆变器,具有很高的工作稳定性