机译:高温栅凹槽技术制造的高射频性能增强模式Al 2 sub> O 3 sub> / AlGaN / GaN MIS-HEMT
Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China;
Enhancement-mode; GaN MIS-HEMTs; GaN MIS-HEMTs,; high-temperature gate recess; hightemperature gate recess; power amplifier;
机译:DC和RF特性的增强型Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT由浅凹槽制成的氟处理和深凹陷
机译:利用SION / AL2O3堆叠电介质改善6英寸Si衬底的增强型AlGaN / GaN MIS-HEMT的性能
机译:具有选择性氟处理的高性能增强模式AlGaN / GaN MIS-HEMT
机译:具有栅极凹槽结构的增强型GaN MIS-HEMT的电源可靠性分析
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:高性能增强 - 模式AlGaN / GaN MIS-HEMT与选择性氟处理