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机译:介电层间插入:一种提高HFₓZR1-XO 2电容器储能的新方法
Korea Adv Inst Sci & Technol Sch Elect Engn Daejeon 34141 South Korea;
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Electronics packaging; Electrostatic discharges; Films; Capacitors; Zirconium; Grain size; Thermal stability; HZO; energy storage capacitors; dielectric interlayer; hysteresis; grain size; thermal stability;
机译:宽带隙高k Y_2O_3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:铁电ZRO(2)薄膜电容器的能量存储性能:HFO2:Al(2)O(3)介电插入层的效果
机译:用于介电电容器应用的基于钛酸铋陶瓷中的能量储存性能
机译:通过使用ALO
机译:高能量密度和低损耗的聚合物电介质,用于储能电容器和有机电子产品。
机译:BaTiO3填料的粒径对电容器储能应用BaTiO3 /聚合物/ Al薄膜的制备和介电性能的影响
机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:用于高能储能电容器的介电材料