机译:光子感应跨导的高电子迁移率晶体管量子阱中的迁移率和薄层电荷
Ben Gurion Univ Negev, Dept Elect Engn, IL-8410501 Beer Sheva, Israel;
Ben Gurion Univ Negev, Dept Elect Engn, IL-8410501 Beer Sheva, Israel;
Electron mobility; sheet charge density; 2D electron gas; high electron mobility transistor;
机译:低功率超高速变质AlSb / InAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的电荷收集特性
机译:量子耦合和电热效应对高电子迁移率晶体管中电子传输的影响
机译:基于低频噪声的重复未扫描电感切换应力下的电子模式对电子模式降低和恢复的电气参数劣化和回收
机译:基于高电子迁移率晶体管和量子阱红外光电探测器集成的异质结构器件中的太赫兹光混合
机译:选择性接触双沟道高电子迁移率场效应晶体管的制作与分析
机译:钝化AlGaN / GaN高电子移动晶体管的大信号线性和高频噪声
机译:钝化AlGaN / GaN高电子移动晶体管的大信号线性和高频噪声