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机译:利用$ {hbox {Pr}} _ {2} {hbox {O}} _ {3} $门极电介质表征多晶硅薄膜晶体管上的氟离子注入效应
机译:HfMoN金属栅极和自对准氟离子注入对具有$ hbox {Gd} _ {2} hbox {O} _ {3} $栅极电介质的pMOSFET负偏压温度不稳定性的影响
机译:具有$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $和$ hbox {Al} _ {2} hbox {O}的a-IGZO薄膜晶体管中低频噪声行为的比较研究} _ {3} / hbox {SiN} _ {x} $门极电介质
机译:
机译:以氟等离子体处理或离子注入的HfO
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:使用溶液加工的聚合物栅极电介质自对准顶栅金属氧化物薄膜晶体管
机译:混合栅极电介质:聚乙烯醇/ $$ HBOX {SIO} _ {2} $$ SIO 2纳米复合材料和纯聚乙烯醇薄膜晶体管之间的对比研究
机译:表征金属掺杂酞菁薄膜的灵敏度,选择性和可逆性,与交叉栅极电极场效应晶体管(IGEFET)一起检测有机磷化合物和二氧化氮