机译:基于嵌入式金字塔形气隙结构的非极性a平面GaN基LED的提高的光提取效率
Department of Printed Electronics Engineering, Sunchon National University, Jeonnam, Korea;
Air gaps; Current measurement; Gallium nitride; Light emitting diodes; Power generation; Refractive index; Substrates; Air-gap; light extraction efficiency; light-emitting diode (LED); nonpolar a-plane GaN;
机译:通过Al $ _ {bm x} $ Ga $ _ {{bf 1} {bm-} {bm x}} $ N限制层和嵌入式光子晶体提高GaN基LED的光提取效率
机译:使用分层的微/亚波长结构提高了GaN基垂直LED的光提取效率
机译:使用双嵌入式光子晶体提高基于GaN的薄膜倒装芯片LED的垂直光提取效率
机译:具有高光提取效率的GaN基LED在p型GaN表面上的纳米结构的设计和制造
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:使用微米和纳米复合聚合物结构提高GaN基LED的光子提取效率
机译:提高具有抗反射界面层的GaN基倒装芯片发光二极管的光提取效率