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机译:使用200nm Gaassb脱位滤波缓冲液的INAS / GASB隧道二极管结构在INAS / GASB隧道二极管结构的异构整合
机译:具有InAs / AlSb双势垒结构的InAs / GaSb超晶格共振隧穿二极管光电探测器
机译:新型GaSb / AlSb / GaSb / AlSb / InAs / AlSb / InAs三势垒带间隧穿二极管
机译:通过使用包含InSb量子点的AlGaSb缓冲层用于位错终止,在Si上生长低缺陷InAs HEMT结构
机译:将InAs / AlSb / GaSb谐振带间隧穿二极管与异质结构场效应晶体管集成在一起,以用于超高速数字电路应用
机译:INAS / GASB隧道二极管
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:非理想对INAS /(IN)GAASSB / GASB隧道FET性能的影响
机译:Inas / Gasb / alsb材料系统中谐振带间隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成;杂志文章